ON Semiconductor QRE1113GR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Gull Wing

引脚数

4

质量

78mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

4 (72 Hours)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

5V VCE

最大功率耗散

75mW

本体宽度

2.7 mm

输出电压

20V

输出类型

Phototransistor

工作电源电压

1.7V

通道数量

1

终端类型

SOLDER

功率耗散

75mW

正向电流

50mA

回应时间

20μs, 20μs

上升时间

20μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

900μA

感应距离

0.197 (5mm)

反向击穿电压

5V

感测方法

Reflective

最大击穿电压

30V

传感器/传感器类型

LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE

输入电流

50mA

反向电压(直流电)

5V

VCEsat-最大值

0.3 V

暗电流

1nA

高度

1.87mm

长度

3.6mm

宽度

2.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅