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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.963781
10
¥3.739417
100
¥3.527752
500
¥3.328067
1000
¥3.139689
ON Semiconductor QSB363
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- 对比
QSB363
1807-QSB363
光学传感器 - 光电晶体管
Axial
大陆
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QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
--最小包装量--
¥
总价: ¥
QSB363详情
ON Semiconductor QSB363重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Axial
引脚数
2
质量
90mg
形状
ROUND
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Number of Elements
1
Voltage Rated
30V
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
日光滤镜
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
75mW
方向
顶视图
功能数量
1
额定电流
700mA
工作电源电压
5V
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
75mW
视角
24°
输出功率
75mW
光电子器件类型
光电三极管
镜头风格
Domed
上升时间
15μs
下降时间(典型值)
15 μs
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1.5mA
波长 - 峰值
940 nm
镜头颜色
Black, Clear
消耗功率
75mW
最大击穿电压
30V
暗电流
100nA
红外线范围
YES
轻型电流-Nom
1.5mA
高度
3mm
长度
2.7mm
宽度
2.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
QSB363拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor










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