QSD123A4R0
QSD123A4R0

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ON Semiconductor QSD123A4R0

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型号

QSD123A4R0

utmel 编号

1807-QSD123A4R0

商品类别

光学传感器 - 光电晶体管

封装

Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 T/R

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QSD123A4R0
QSD123A4R0 ON Semiconductor Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 T/R

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QSD123A4R0详情

ON Semiconductor QSD123A4R0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)

  • 引脚数

    2

  • 质量

    284mg

  • 形状

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    400mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    30V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    100°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 最大功率耗散

    100mW

  • 方向

    顶视图

  • 功能数量

    1

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    100mW

  • 视角

    24°

  • 光电子器件类型

    光电三极管

  • 大小

    5mm

  • 上升时间

    7μs

  • 下降时间(典型值)

    7 μs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    5V

  • 最大集电极电流

    16mA

  • 最大击穿电压

    30V

  • 暗电流

    100nA

  • 红外线范围

    YES

  • 轻型电流-Nom

    4mA

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor QSD123A4R0.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & QSD123A4R0相似的参数规格。

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    品牌
    Package / Case
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    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Viewing Angle
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    Rise Time
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    查看对比:
  • QSD123A4R0

    QSD123A4R0

    Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)

    2

    30 V

    16 mA

    24°

    Top View

    7 μs

    100 mW

    100 mW

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QSD123A4R0拓展信息

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