ON Semiconductor QVE00832

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

Module, PC Pins, Slot Type

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

工作电源电压

1.4V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

150mW

正向电流

60mA

回应时间

4μs, 4μs

上升时间

4μs

下降时间（典型值）

4 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.197 (5mm)

反向击穿电压

6V

波长

940 nm

感测方法

Through-Beam

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅