ON Semiconductor RGF1M
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RGF1M
1807-RGF1M
二极管 - 整流器 - 单
DO-214AC, SMA
大陆
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DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
--最小包装量--
RGF1M详情
ON Semiconductor RGF1M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AC, SMA
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
8.5pF
电压 - 额定直流
1kV
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
RGF1M
电压
1kV
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
电流
1A
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 1000V
功率耗散
1.76W
输出电流
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3V @ 1A
正向电流
1A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
30A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1000V
正向电压
1.3V
最大反向电压(DC)
1kV
平均整流电流
1A
反向恢复时间
500 ns
峰值反向电流
5μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1kV
电容@Vr, F
8.5pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
30A
反向电压
1kV
最大正向浪涌电流(Ifsm)
30A
恢复时间
500 ns
高度
2.2mm
长度
4.75mm
宽度
2.95mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RGF1M拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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