ON Semiconductor RHRD660S9A
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RHRD660S9A
1807-RHRD660S9A
二极管 - 整流器 - 单
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
--最小包装量--
RHRD660S9A详情
ON Semiconductor RHRD660S9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
超快软恢复
附加功能
续流二极管
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
600V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
RHRD660S9
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 600V
功率耗散
50W
输出电流
6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.1V @ 6A
箱体转运
CATHODE
正向电流
6A
工作温度 - 结点
-55°C~175°C
最大浪涌电流
60A
正向电压
2.1V
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
6A
相位的数量
1
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
峰值非恢复性浪涌电流
60A
反向电压
600V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
60A
恢复时间
30 ns
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RHRD660S9A拓展信息
ON Semiconductor
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