ON Semiconductor SCH1331-TL-W

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

41 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

84m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

405pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.6nC @ 4.5V

上升时间

80ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

3A

阈值电压

-1.3V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.084Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅