ON Semiconductor SHN1B01FDW1T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

380mW

引脚数量

6

功率 - 最大

380mW

极性/通道类型

NPN/PNP

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V

最大集极截止电流

2μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅