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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.010505
10
¥1.896701
100
¥1.789343
500
¥1.688056
1000
¥1.592509
ON Semiconductor SZMMBZ47VTALT1G
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- 对比
SZMMBZ47VTALT1G
1807-SZMMBZ47VTALT1G
二极管 - 齐纳 - 阵列
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TVS Diodes / ESD Suppressors ZENER SOT23 2% VZ TO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SZMMBZ47VTALT1G详情
ON Semiconductor SZMMBZ47VTALT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
二极管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
47V
Number of Elements
2
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-55°C~150°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
容差
±2%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101; IEC-61000-4-2
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
1 Pair Common Anode
元素配置
共阳极
二极管类型
跨压抑制二极管
反向泄漏电流@ Vr
50nA @ 38V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
38V
齐纳电压
38V
最大非代表峰值转速功率Dis
40W
反向电流-最大值
0.05μA
击穿电压-最小值
46.06V
最大箝位电压
54V
击穿电压-最大值
47.94V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SZMMBZ47VTALT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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