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1

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10

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100

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500

￥0.251717
1000

￥0.237469

ON Semiconductor MMBZ16VALT1G

Name: MMBZ16VALT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-MMBZ16VALT1G
Price: 0.3 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBZ16VALT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBZ16VALT1G

商品类别

二极管 - 齐纳 - 阵列

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode TVS Dual Common Anode Uni-Directional 13V 40W 3-Pin SOT-3 T/R

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MMBZ16VALT1G ON Semiconductor Diode TVS Dual Common Anode Uni-Directional 13V 40W 3-Pin SOT-3 T/R

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技术参数

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ON Semiconductor MMBZ16VALT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
二极管元件材料

SILICON
Breakdown Voltage / V

16V
Number of Elements

2
Reverse Stand-off Voltage

13V
操作温度

-55°C~150°C
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
容差

±5%
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
HTS代码

8541.10.00.50
最大功率耗散

225mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
参考标准

IEC-61000-4-2
配置

1 Pair Common Anode
元素配置

共阳极
二极管类型

跨压抑制二极管
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900mV @ 10mA
最大反向漏电电流

50nA
箝位电压

23V
峰值脉冲电流

1.7A
峰值脉冲功率

40W
方向

单向
测试电流

1mA
齐纳电压

16V
最小击穿电压

15.2V
高度

1mm
长度

2.9mm
宽度

1.3mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MMBZ16VALT1G拓展信息

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