ON Semiconductor TIG111BF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Test Conditions

300V, 10A, 30 Ω, 15V

包装

Bulk

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

2W

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

2W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

23A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

250 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

360 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

63nC

集极脉冲电流（Icm）

92A

Td（开/关）@25°C

43ns/175ns

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准