ON Semiconductor TIL111M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

855mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

250mW

审批机构

UL

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

2mA

上升时间

10μs

下降时间（典型值）

10 μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

上升/下降时间(Typ)

10μs 10μs Max

反向击穿电压

3V

最大输入电流

60mA

反向电压(直流电)

3V

电流传输比

50%

暗电流（最大）

50nA

高度

3.53mm

长度

8.89mm

宽度

6.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅