ON Semiconductor TIL111TVM

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

质量

864.008416mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

60mA

每个通道的输出电流

2mA

上升时间

10μs

下降时间（典型值）

10 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

上升/下降时间(Typ)

10μs 10μs Max

反向击穿电压

3V

最大输入电流

60mA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅