ON Semiconductor TIS75

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Breakdown Voltage / V

-30V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

350mW

额定电流

20mA

基本部件号

TIS75

元素配置

Single

功率耗散

350mW

输出功率

350mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18pF @ 10V VGS

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

80mA

栅极至源极电压(Vgs)

-30V

漏源电阻

60Ohm

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

800mV @ 4nA

电阻-RDS(On)

60Ohm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅