ON Semiconductor TIS97

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

200mg

Number of Elements

1

hFEMin

250

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

500mA

基本部件号

TIS97

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

10nA ICBO

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅