ON Semiconductor TN6729A_D26Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-226

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

TN6729A

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 250mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 10mA, 250mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准