ON Semiconductor WPB4002

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 220W Tc

Turn Off Delay Time

234 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tray

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

220W

接通延迟时间

42 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 11.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84nC @ 10V

上升时间

130ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

23A

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准