Panjit PJA7002H_R1_00001

底架

通孔

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

SOT-23

Voltage, Rating

50 V

RoHS

Compliant

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

厂商

Panjit International Inc.

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA (Ta)

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

1.3 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

5 Ohms

Id - Continuous Drain Current

300 mA

包装

Bulk

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

容差

10 %

终端

Radial

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

电容量

82 nF

技术

MOSFET (Metal Oxide)

深度

2.34 mm

螺纹距离

8.255 mm

电介质

X7R

失败率

0.01 %

通道数量

1 Channel

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 300mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.3 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

特征

Military

宽度

2.3368 mm

高度

3.25 mm

长度

6.6 mm

座位高度(最大)

4.445 mm

器件厚度

2.34 mm

辐射硬化

无