参数名
参数值
参数名
参数值
底架
通孔
包装/外壳
SOT-23-6
安装类型
表面贴装
引脚数
4
供应商器件包装
SOT-23-6
RoHS
Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Pd - Power Dissipation
2 W
Transistor Polarity
P-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, + 10 V
Unit Weight
0.000501 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
Qg - Gate Charge
16.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
26 mOhms
Typical Turn-Off Delay Time
138 ns
Id - Continuous Drain Current
7.4 A
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
厂商
Panjit International Inc.
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Product Status
活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 250µA
包装
MouseReel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
MOSFETs
技术
Si
通道数量
1 Channel
元素配置
Single
正向电流
35 A
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1620 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.5 nC @ 4.5 V
上升时间
25 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±10V
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 P-Channel
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
600 V
场效应管特性
-
产品类别
MOSFET
辐射硬化
无