PanJit Semiconductor BC859B
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BC859B
1854-BC859B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
1最小包装量--
BC859B详情
PanJit Semiconductor BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
71.42
Transport packaging size / quantity
60*38*22/150
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
PANJIT INTERNATIONAL INC
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-50 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大耗散功率(Abs)
0.33 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
0.65 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
环境耗散-最大值
0.33 W
BC859B拓展信息
Panjit
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