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PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001

Name: PJMD580N60E1_L2_00001
Brand: PanJit Semiconductor
SKU: 1854-PJMD580N60E1_L2_00001
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PJMD580N60E1_L2_00001

品牌

PanJit Semiconductor

utmel 编号

1854-PJMD580N60E1_L2_00001

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA

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PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA

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PJMD580N60E1_L2_00001详情

技术参数

PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Type of transistor

N-MOSFET
Polarisation

unipolar
Drain-source voltage

600V
Drain current

8A
Pulsed drain current

24A
Case

TO252AA
Gate-source voltage

±30V
Mounting

SMD
Kind of package1

tape
Kind of package

reel
Kind of channel

enhanced
Gross weight

1g
Certificates

RoHS compliant
Power dissipation

54W
Gate charge

15nC
On-state resistance

0.58Ω

0个相似型号

PJMD580N60E1_L2_00001拓展信息

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