PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001

  • 收藏
  • 对比

型号

PJMD580N60E1_L2_00001

utmel 编号

1854-PJMD580N60E1_L2_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PJMD580N60E1_L2_00001详情

PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    N-MOSFET

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    600V

  • Drain current

    8A

  • Pulsed drain current

    24A

  • Case

    TO252AA

  • Gate-source voltage

    ±30V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package1

    tape

  • Kind of package

    reel

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    1g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    54W

  • Gate charge

    15nC

  • On-state resistance

    0.58Ω

0个相似型号

PJMD580N60E1_L2_00001拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z