Philips Semiconductors BYV28-600

表面安装

NO

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

diode/transistor

Max. off-state voltage

1.7kV

Collector current

400A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

1.2kA

Mechanical mounting

screw

Gross weight

325 g

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Forward Voltage-Max (VF)

1.3 V

Operating Temperature-Max

175 °C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

Reach合规守则

unknown

配置

SINGLE

二极管类型

接收电极

拓扑

boost chopper

输出电流-最大值

3.1 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

最大非代表Pk前进电流

90 A

反向恢复时间-最大值

0.05 μs

第二个连接器加载的位置数

for UPS,