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首页 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 PHB125N06LT
PHB125N06LT
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Philips Semiconductors PHB125N06LT

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型号

PHB125N06LT

品牌

Philips Semiconductors

utmel 编号

1891-PHB125N06LT

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PHB125N06LT
PHB125N06LT Philips Semiconductors Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PHB125N06LT详情

技术参数

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Philips Semiconductors PHB125N06LT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Package Description

    ,

  • Drain Current-Max (ID)

    75 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    250 W

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技术文档: Philips Semiconductors PHB125N06LT.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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