HYB25D512800CE-5
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Qimonda HYB25D512800CE-5

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型号

HYB25D512800CE-5

品牌

Qimonda

utmel 编号

1214-HYB25D512800CE-5

商品类别

存储器

封装

66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP

起订量

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HYB25D512800CE-5
HYB25D512800CE-5 Qimonda IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP

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HYB25D512800CE-5详情

Qimonda HYB25D512800CE-5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

  • 引脚数

    66

  • Memory Types

    Volatile

  • 已出版

    2007

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    66

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 电压 - 供电

    2.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    2.6V

  • 内存大小

    512Mb 64M x 8

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    200MHz

  • 访问时间

    200 μs

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    64MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.0046A

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 电压 - 供电 (最大值)

    2.7V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    2.3V

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    248

  • 交错突发长度

    248

  • 长度

    22.22mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    10.16mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Qimonda HYB25D512800CE-5.

右边的3个型号有着和Qimonda & HYB25D512800CE-5相似的参数规格。

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HYB25D512800CE-5拓展信息

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