Renesas 2SJ179-T1-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
Part Package Code
POMM
Risk Rank
5.69
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SJ179-T1-AZ
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Package Code
PLZZ0004CC-A3
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F3
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.5 A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
无铅
无铅