Renesas 2SJ352-E

触点镀层

Copper, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-200 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004ZE-A4

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ352-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Drain Current-Max (ID)

8 A

Part Package Code

TO-3P

Risk Rank

5.2

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

不推荐

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

100 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

-8 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100 W

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

8 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

输入电容

800 pF

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W

辐射硬化

无

无铅

无铅