Renesas 2SJ529L-E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004ZD-B4

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

10 A

Part Package Code

DPAK(L)-(2)

Risk Rank

5.2

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Samacsys Description

Renesas 2SJ529L-E P-channel MOSFET Transistor, 10 A, 60 V, 3+Tab-Pin DPAK-L

Part Life Cycle Code

不推荐

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

2SJ529L-E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

JESD-609代码

e6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.24 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W