Renesas 2SJ542-E

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

18

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AC-A4

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ542-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.33

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

18 A

操作温度

150°C

系列

-

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300 pF @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W

场效应管特性

-