Renesas 2SJ604-Z(AZ)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

TO-263, TO-220SMD

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

厂商

Renesas

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta), 70W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AJ-B3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ604-Z-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.46

Part Package Code

MP-25Z

Drain Current-Max (ID)

45 A

操作温度

150°C

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

45 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45 A

漏极-源极导通最大电阻

0.043 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

123 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

70 W

场效应管特性

-

辐射硬化

无