Renesas 2SK1581-T2B-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PLSP0003ZD-A3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK1581-T2B-A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.72
Part Package Code
MM
Drain Current-Max (ID)
0.2 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
200 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
200 mA
栅极至源极电压(Vgs)
16 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2 A
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
16 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W