Renesas 2SK2341-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
1 Week
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0003AK-A3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SK2341-AZ
Package Shape
RECTANGULAR
Drain Current-Max (ID)
11 A
Part Package Code
MP-45F
Risk Rank
5.37
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
系列
*
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2 W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
11 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11 A
漏极-源极导通最大电阻
0.26 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
320 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
35 W
辐射硬化
无
无铅
无铅