2SK2980ZZ-TL-E
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Renesas 2SK2980ZZ-TL-E

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型号

2SK2980ZZ-TL-E

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-2SK2980ZZ-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3

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2SK2980ZZ-TL-E
2SK2980ZZ-TL-E Renesas 1000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3

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2SK2980ZZ-TL-E详情

Renesas 2SK2980ZZ-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Renesas Electronics America Inc

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SK2980ZZ-TL-E

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.64

  • Part Package Code

    SC-59A

  • Drain Current-Max (ID)

    1 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铋

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.5 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.8 W

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2SK2980ZZ-TL-E拓展信息

RJK1028DNS-00#J5
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RJK0332DPB-00-J0
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RJK0346DPA-00#J0
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UPA1814GR-9JG-E1-A
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NP50N04YUK-E1-AY
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RJK1056DPB-00#J5
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