2SK3114-AZ
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Renesas 2SK3114-AZ

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型号

2SK3114-AZ

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-2SK3114-AZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

2SK3114-AZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Renesas stock available at utmel

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2SK3114-AZ详情

Renesas 2SK3114-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Manufacturer Part Number

    2SK3114-AZ

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    NEC Electronics Group

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NEC ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    7.82

  • Part Package Code

    SFM

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • 温度系数

    50 ppm/°C

  • 电阻

    9.09 kOhm

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 额定功率

    0.25 W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 电阻器类型

    高可靠性

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    16 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    10.7 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电阻公差

    0.1

0个相似型号

2SK3114-AZ拓展信息

RJK1028DNS-00#J5
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Renesas Electronics America Inc

RJK0332DPB-00-J0
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RJK0346DPA-00#J0
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UPA1814GR-9JG-E1-A
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NP50N04YUK-E1-AY
NP50N04YUK-E1-AY

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RJK1056DPB-00#J5
RJK1056DPB-00#J5

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RJK0348DSP-00#J0
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2SK2054-T1-AZ
HAT1127H-EL-E
HAT1127H-EL-E

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2SK2225-E
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