Renesas 2SK3447TZ-E

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92MOD

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

900mW (Ta)

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Drain Current-Max (ID)

1 A

Part Package Code

TO-92 Mod

Risk Rank

5.84

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

2SK3447TZ-E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Package Code

PRSS0003DC-A3

系列

-

操作温度

150°C

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.95Ohm @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

85 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

150 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

2.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.9 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant