Renesas 2SK3659-AZ

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Isolated Tab

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0003AK-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3659-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.37

Part Package Code

MP-45F

Drain Current-Max (ID)

65 A

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7mOhm @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

65 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0099 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

122 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

场效应管特性

-