Renesas HAT1089C-EL-E

安装类型

面板安装

表面安装

YES

越来越多的功能

Flange

引脚数

6

外壳材料

铝合金

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

1000VAC, 1400VDC

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

KPSE

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Contact Finish Mating

Gold

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PWSF0006JA-A6

Reflow Temperature-Max (s)

20

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT1089C-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.82

Part Package Code

CMFPAK

Drain Current-Max (ID)

2 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

KPSE

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

终端

Crimp

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Receptacle, Female Sockets

定位的数量

5

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

颜色

橄榄色

紧固类型

卡口锁

子类别

其他晶体管

额定电流

13A

端子位置

DUAL

方向

N (Normal)

终端形式

FLAT

屏蔽/屏蔽

-

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

入口保护

抗环境干扰

外壳完成

橄榄色镉

外壳尺寸-插入

14-5

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.168 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.85 W

特征

Backshell

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)

达到SVHC

compliant