HAT2169H
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Renesas HAT2169H

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型号

HAT2169H

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-HAT2169H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

50A, 40V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LFPAK-5

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HAT2169H
HAT2169H Renesas 50A, 40V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LFPAK-5

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HAT2169H详情

Renesas HAT2169H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HAT2169H

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.33

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.006 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

HAT2169H拓展信息

RJK1028DNS-00#J5
RJK1028DNS-00#J5

Renesas Electronics America Inc

RJK0332DPB-00-J0
RJK0332DPB-00-J0

Renesas Electronics America

RJK0346DPA-00#J0
RJK0346DPA-00#J0

Renesas Electronics America

UPA1814GR-9JG-E1-A
UPA1814GR-9JG-E1-A

Renesas Electronics America Inc

NP50N04YUK-E1-AY
NP50N04YUK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

RJK1056DPB-00#J5
RJK1056DPB-00#J5

Renesas Electronics America

RJK0348DSP-00#J0
RJK0348DSP-00#J0

Renesas Electronics America

2SK2054-T1-AZ
HAT1127H-EL-E
HAT1127H-EL-E

Renesas Electronics America

2SK2225-E
2SK2225-E

Renesas Electronics America

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