Renesas N0600N-S17-AY

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TO-220-3 Isolated Tab

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

2W (Ta), 20W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

-

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0003AK-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

N0600N-S17-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.79

Part Package Code

MP-45F

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36mOhm @ 15A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29.8 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.036 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

12.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown