NP60N04ILF-E1-AZ
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Renesas NP60N04ILF-E1-AZ

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型号

NP60N04ILF-E1-AZ

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-NP60N04ILF-E1-AZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH

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NP60N04ILF-E1-AZ详情

Renesas NP60N04ILF-E1-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    TO-252 (MP-3Z)

  • 厂商

    Renesas

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    Obsolete

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    60A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.2W (Ta), 100W (Tc)

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NP60N04ILF-E1-AZ

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.84

  • 系列

    -

  • 操作温度

    175°C

  • 子类别

    FET 通用电源

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6.5mOhm @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3900 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    75 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    60 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    100 W

  • 场效应管特性

    -

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NP60N04ILF-E1-AZ拓展信息

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