Renesas NP80N04MHE-S18-AY

底架

通孔

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

44 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 120W (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Package

Tube

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP80N04MHE-S18-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.29

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

80 A

包装

Bulk

系列

-

操作温度

175°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8mOhm @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

输入电容

3.3 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

169 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

8 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant