Renesas NP80N04NDG-S18-AY

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-262

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AM-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP80N04NDG-S18-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.82

Part Package Code

MP-25SK

Drain Current-Max (ID)

80 A

操作温度

175°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8mOhm @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

135 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

115 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant