Renesas NP82N04MLG-S18-AY

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta), 143W (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

82A (Tc)

Package

Tube

Package Description

LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AN-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP82N04MLG-S18-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.8

Part Package Code

MP-25K

Drain Current-Max (ID)

82 A

系列

-

操作温度

175°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2mOhm @ 41A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

82 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

328 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

143 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant