Renesas UPA2520T1H-T2-AT

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

8-VSOF

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PVSF0008JB-A8

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UPA2520T1H-T2-AT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.46

Part Package Code

VSOF

Drain Current-Max (ID)

10 A

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.2mOhm @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0132 Ω

输入电容

1.1 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.2 W

场效应管特性

-

最大rds

13.2 mΩ

达到SVHC

compliant