UPA2732UT1A-E1-AY
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Renesas UPA2732UT1A-E1-AY

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型号

UPA2732UT1A-E1-AY

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-UPA2732UT1A-E1-AY

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

UPA2732UT1A-E1-AY

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UPA2732UT1A-E1-AY详情

Renesas UPA2732UT1A-E1-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-VDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-DFN3333 (3.3x3.3)

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    680 ns

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A (Ta)

  • 厂商

    Renesas Electronics America Inc

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    -

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    1.5 W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.7mOhm @ 20A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3280 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    133 nC @ 10 V

  • 上升时间

    15 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 连续放电电流(ID)

    40 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    3.28 nF

  • 场效应管特性

    -

  • 最大rds

    3.7 mΩ

  • 辐射硬化

0个相似型号

UPA2732UT1A-E1-AY拓展信息

RJK1028DNS-00#J5
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Renesas Electronics America Inc

RJK0332DPB-00-J0
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Renesas Electronics America

RJK0346DPA-00#J0
RJK0346DPA-00#J0

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UPA1814GR-9JG-E1-A
UPA1814GR-9JG-E1-A

Renesas Electronics America Inc

NP50N04YUK-E1-AY
NP50N04YUK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

RJK1056DPB-00#J5
RJK1056DPB-00#J5

Renesas Electronics America

RJK0348DSP-00#J0
RJK0348DSP-00#J0

Renesas Electronics America

2SK2054-T1-AZ
HAT1127H-EL-E
HAT1127H-EL-E

Renesas Electronics America

2SK2225-E
2SK2225-E

Renesas Electronics America

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