Renesas UPA606T-T1-A

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

供应商器件包装

6-Minimold

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UPA606T-T1-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

0.1 A

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G6

Brand Name

Renesas

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

300mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25Ohm @ 10mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

-

漏源电压 (Vdss)

50V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1 A

漏极-源极导通最大电阻

30 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

场效应管特性

逻辑电平门