Renesas Electronics America 2SJ649-AZ
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2SJ649-AZ
2038-2SJ649-AZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Isolated Tab
大陆
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Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220
--最小包装量--
2SJ649-AZ详情
Renesas Electronics America 2SJ649-AZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Isolated Tab
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
2W Ta 25W Tc
Turn Off Delay Time
73 ns
已出版
2003
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
Single
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
48m Ω @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SJ649-AZ拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
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Renesas
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