Renesas Electronics America 2SK1058-E
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2SK1058-E
2038-2SK1058-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
--最小包装量--
2SK1058-E详情
Renesas Electronics America 2SK1058-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PRSS0004ZE-A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
100W Tc
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2005
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
160V
端子位置
SINGLE
额定电流
7A
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
100W
箱体转运
SOURCE
接通延迟时间
180 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
600pF @ 10V
Vgs(最大值)
±15V
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
160V
高度
22.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SK1058-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
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Renesas Electronics America
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Renesas
Renesas Electronics America
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