Renesas Electronics America 2SK1339-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

SINGLE

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

425pF @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7A

DS 击穿电压-最小值

900V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant