Renesas Electronics America 2SK1775-E

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

185 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1730pF @ 10V

上升时间

135ns

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

900V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant